在寫操作中，LCV使能信號（LCVEN）變為高電平，它關閉下拉NMOS（N1），以將電荷共享電容器C1與地斷開。COL
［n：0］選擇一列以關閉P0，并將陣列虛擬電源軌CVDD
［0］與真實電源VDDAI斷開。由于金屬線電容隨存儲單元陣列的縮小而縮小，因此它也有利于SRAM編譯器設計，并在變化的BL配置下提供了相對恒定的電荷共享電壓電平。電荷共享水平由CVDD的金屬電容比和電荷共享金屬走線決定。圖10顯示了三個LCV－VDD比率分別為6％，12％和24％。
圖10．三種LCV－VDD比率分別為6％，12％和24％。
關閉寫輔助功能后，Vmin會受到寫失敗的限制。
圖11中使用Write Assist的測量結果顯示NBL將Vmin提高了300mV，而24％ LCV則將Vmin提高了300mV以上。
圖11．（a）金屬電容器增強的寫輔助WAS－NBL方案和（b）金屬電荷共享電容器WAS－LCV方案的測量結果。