等離子體清洗機在堆積工藝中的運用

等離子體清洗機在堆積工藝中的運用由以下四個進程組成。
（1）電子和反響氣體發作電子碰撞反響，生成離子和自由基；
（2）活性組分從等離子體傳輸到基底外表；
（3）活性組分經過吸附作用或物化反響堆積到基底外表；
（4）活性組分或反響產品成為堆積薄膜的組成部分。
在高密度等離子體化學氣相堆積工藝中，堆積和刻蝕進程往往同時發作。該工藝中的三種首要機理為：等離子體離子輔佐堆積、氬離子濺射以及濺射資料的再堆積。在 高密度等離子體化學氣相堆積（HDP CVD）工藝中，高密度等離子體源（如感應耦合等離子體（ICP）、電子回旋共振等離子體（ECR）或螺旋波等離子體（helicon））對包含硅烷、氧氣和氬氣的混合氣體進行激起。經過將基底作為陰極，可將等離子體中的高能正離子招引至晶體外表，隨后氧與硅烷發作反響生成氧硅烷，在由氬離子濺射進程除去氧硅烷。
在半導體制作中一般選用兩種印刷線路制版技能，這兩種技能彼此具有互補性。其間一種技能是將電介質印刷到金屬外表，另一種技能則是將金屬鑲嵌在介質板上。前者即為離子刻蝕（RIE）制版技能，其操作進程如下：
（1）在晶片外表堆積一層厚度均勻的金屬層；
（2）然后再外表均勻地涂一層光敏性聚合物——光刻膠；
（3）經過光學手段將電路圖案透射至光刻外表，從而改變其溶解性；
（4）選用反響性刻蝕劑將易溶解部分去除，構成一層掩模層；
（5）等離子清洗機能將未被掩模層保護的金屬刻蝕去除；
（6）經過等離子體清洗機去膠，將光刻膠剝除；
（7）堆積二氧化硅或氮化硅，鈍化外表。
第二種制版技能，即鑲嵌技能的靈感源自于歷史悠久的首飾鑲嵌工藝，或稱大馬士革工藝。這種技能需求先在平面電介質層上刻蝕出縱橫分布的溝槽，然后選用金屬堆積工藝將溝槽內填充金屬，從而在一個平面上鑲嵌入所需電路。在堆積一層絕緣層后，即可重復進行下一層金屬薄膜的鑲嵌。