銻化鎵的生產方法

把20g鎵、34.94g銻放進石墨盤中，裝入石英管內，并用氫氣流充分置換掉空氣之后，然后在氫氣流中加熱石英管至720～730℃使其化合。為了制得GaSb單晶，可Chemicalbook以從石英管中慢慢取出，使熔融狀態的GaSb從盤的一端開始固化形成結晶。

如欲制成半導體用GaSb時，所用原料盤及石英管均應是高純度的制品，必要時可進行區域熔融提純。