陽離子過剩
形成間隙陽離子
如ZnO、CdO→Zn1+xo,Cd1+xO，過剩的金屬離子進入間隙位，為保持電中性，等價電子被束縛在間隙位的金屬離子周圍。例：ZnO在鋅蒸氣中加熱，顏色逐漸加深變化。
負電子過剩
形成間隙負離子。
發現UO2+X，可以看作U3O8在UO2中的固溶體，當負離子過剩進入間隙位置時，結構中必須出現兩個電子空穴，以平衡整體電中性，相應正離子電價升高，電子空穴在電場作用下產生運動，這種材料稱P型半導體。
形成正離子空位
由于存在正離子空位，為保持電中性，在正離子空位周圍捕獲電子空位，因此其也是P型半導體，如Cu2O、FeO即是。例：FeO在氧氣下形成這種缺陷，實際上是Fe2O3在FeO中形成的固溶體（高價取代低價），即2個Fe3+取代3個Fe2+，同時在晶格中形成個正離子空位，在氧氣條件下，氧氣進入FeO晶格結構中，變為氧離子，必須從鐵離子獲得兩個電子，使Fe2+→Fe3+，并形成VFe。