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    發布時間:2024-05-30 16:35 原文鏈接: EpiQuest真空互聯分子束外延系統(金屬)共享

    儀器名稱:真空互聯-分子束外延系統(金屬)
    儀器編號:21028618
    產地:日本
    生產廠家:EpiQuest Inc
    型號:RC2100Me
    出廠日期:
    購置日期:2021-11-18

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    所屬單位:集成電路學院>微納加工平臺>真空互聯
    放置地點:微電子學研究所南平房實驗室108號
    固定電話:010-62784044
    固定手機:13051135063
    固定email:zygao@mail.tsinghua.edu.cn
    聯系人:
    分類標簽:微納 半導體 薄膜
    技術指標:

    ◇主腔真空: 1.5×10–10 Torr

    ◇ 源爐數量: 8個

    ◇ 樣品臺最高溫度: 900 °C

    ◇ RHEED最高電壓及電流: 30 KV/1.55 A

    ◇ 冷卻方式:液氮冷屏

    ◇ 原位束流即時監控系統,束流控制穩定度優于1%

    知名用戶:材料學院宋成教授課題組
    技術團隊:

    集成電路學院

    功能特色:

    可以實現氧化物、半導體和金屬材料等很多薄膜材料的外延生長。由于其超高真空度,且生長速率高精度可控,可以獲得具有突變界面的高質量的外延層,也可以精確的控制沉積薄膜的厚度、摻雜以及薄膜的組成比例

    樣品要求:

    兩英寸或旗形樣品托


    預約說明:

    由于該套系統的特殊性,將采用不同以往的開放形式:使用設備團隊負責人提出項目申請、項目評審委員會提出預審意見并由中心主任審批、設備工程師負責具體機時安排和使用培訓。

    項目名稱計價單位費用類別價格備注
    材料生長元/小時自主上機機時費480.0


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