為什么燒錄Nand Flash經常失敗？為什么燒錄成功了，一部分Nand芯片貼板之后系統卻運行不起來？…，等等，問了那么多為什么，那我反問一個問題：你了解Nand Flash的特性及其燒錄關鍵點嗎？
一、Nand flash的特性
1、位翻轉
在 NAND 閃存是通過對存儲單元（Cell）進行充電來完成數據存儲的，存儲單元的閾值電壓就對應著數據值。當讀取的時候，通過將它的閾值電壓與參考點對比來獲得其數據值。對SLC 而言，就只有兩種狀態和一個參考點。而對于2-Bits 的MLC 而言，它有4 種狀態和三個參考點。TLC就更多狀態和參考點。當讀出的數據值與編程時數據值對應的閾值電壓不相匹配時，表明數據發生了位翻轉，就帶來了可靠性問題。導致位翻轉的最常見原因是“編程干擾”導致的閾值電壓漂移。
2、存儲結構
Nand 閃存由多個Block組成，每一個Block又由多個Page組成，Page的大小一般為512+16Bytes 、2K+64Bytes以及4096+128Bytes，Page是讀取和編程的基本單位，而擦除的基本單位是Block。
NAND Flash的頁，包含主區（Main Area）和備用區（Spare Area）兩個域，“主區”也常稱作數據區，備用區是保留區域，一般用來標記壞塊（bad block）和存放ECC的值，當然有些文件系統使用備用區記錄擦除次數、文件組織數據等。
圖1.1 為頁大小為2048+64的閃存存儲結構
3、壞塊及ECC
位翻轉的發生是隨機的，且比特誤碼的數量會隨著擦寫次數的增加而增加。但是只要比特誤碼的數量在ECC 能夠糾正的范圍內，數據的完整性就始終有保障。在有些點，每頁的比特誤碼有可能很接近ECC 所能糾正的極限，NAND 的控制系統必須嚴防比特誤碼超過可糾錯的范圍，否則，就可能造成數據丟失或者系統無法正常工作。因此，這些塊必須要標記為壞塊。壞塊永遠不應該再用來存儲數據。由于壞塊的產生是不可避免的，NAND 制造商在對裸片測試時會選擇對某些塊進行壞塊標記，而不是放棄整個裸片，所以大多數NAND 在出廠時就已經存在標記為壞塊的塊。如果一個NAND 的塊被標記為壞塊，那么NAND 的容量就永久性的減小了。