延續摩爾定律，二維晶體管潛力如何？
自20世紀60年代以來，電子電路上可容納的元器件數量每兩年便增加一倍，這種趨勢就是著名的摩爾定律。隨著晶體管越來越小，硅芯片上可容納的元器件數量在不斷增加。但目前看來，硅晶體管正接近它的物理極限。只有開發出全新類型的材料和設備，才能釋放下一代計算機的潛力。單分子厚晶體管芯片或許能用來驅動下一代計算機。圖片來源:Peng Lin、Sanghoon Bae 基于塊體（三維）半導體的所有晶體管都面臨著相同的問題，包括由鍺、砷鎵銦和磷化銦制成的晶體管。電子一般難以在納米厚度的溝道內遷移，溝道表面的缺陷也會導致電荷散射，減慢電子流動速度。 而單原子層的二維材料有望使晶體管進一步縮小。由于它們的“垂直”維度有限，且表面平整沒有缺陷，因而電子不易發生散射，電荷也能相對自由地在其中流動。前景可觀的材料包括過渡金屬硫化物 （如二硒化鎢和二硫化鉬）。 但是，這類研究仍處于初級階段，如果要滿足實用設備的工業級需求，必須先解決三大根本挑戰。 ......閱讀全文
摩爾去世，影響世界的摩爾定律還活著嗎？
英特爾公司聯合創始人戈登·摩爾3月24日去世，享年94歲。作為半導體行業的先驅，他提出的“摩爾定律”預言了芯片行業日新月異的發展進程。 現在人們熟知的“摩爾定律”是指：當價格不變時，集成電路上可容納的晶體管數目每隔18-24個月增加一倍，性能也將提升一倍。事實上，摩爾并沒有說過“每18個月翻一
國科大等：二維半導體新成果登上Nature
經過數十年發展，半導體工藝制程已逐漸逼近亞納米物理極限，傳統硅基集成電路難以依靠進一步縮小晶體管面內尺寸來延續摩爾定律。發展垂直架構的多層互連CMOS邏輯電路以實現三維集成技術的突破，已成為國際半導體領域積極探尋的新方向。由于硅基晶體管的現代工藝采用單晶硅表面離子注入的方式，難以實現在一層離子注入的
國科大等：二維半導體新成果登上Nature
創新方法打破硅基邏輯電路的底層“封印”經過數十年發展，半導體工藝制程已逐漸逼近亞納米物理極限，傳統硅基集成電路難以依靠進一步縮小晶體管面內尺寸來延續摩爾定律。發展垂直架構的多層互連CMOS邏輯電路以實現三維集成技術的突破，已成為國際半導體領域積極探尋的新方向。由于硅基晶體管的現代工藝采用單晶硅表面離
彭練矛院士：沒有芯片，就沒有中國未來的現代化
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/11/511473.shtm當前，云、大數據、人工智能、個性化醫療和健康監控領域，未來數字化和智慧化的發展，都離不開芯片。毫不夸張地說，芯片就是現代技術的驅動力，中國未來如果沒有芯片，就沒有中國未來的現代化。集
首個豎放晶體管計算機芯片問世
據《科學》消息，美國萬國商業機器公司（IBM）和三星的研究人員已經制造出首個將晶體管豎立在兩端的計算機芯片原型，即垂直傳輸場效應晶體管。這一變化將使電路的封裝更加緊密，并使更快或更節能的設備成為可能。一種新的具有垂直傳輸場效應的晶體管 業界知名硬件拆解與分析機構TechInsights半導體行
美物理學家稱摩爾定律將在十年內崩潰
北京時間5月3日凌晨消息，據美國IT網站ComputerWorld報道，一位知名的理論物理學家稱，計算機行業中的關鍵理論“摩爾定律”（Moore"s Law）即將崩潰。 紐約市立大學理論物理教授加來道雄（Michio Kaku）在接受BigThink.com網站的視頻采訪時稱，這項延續了4
從三維到二維，材料物理特性會巨變
“人類過去4000年的發展，從瓷器時代到青銅時代再到鐵器時代，每個時代都有一種代表性材料。我們現在生活在塑料與硅的時代，這也是今天人類文明的代表性材料。下一步是什么呢？”在近日舉行的2019中國科幻大會“科技與未來”專題論壇上，2010年諾貝爾物理學獎得主、英國曼徹斯特大學物理學教授安德烈·海
IBM新型碳納米管芯片：單芯片上制造上萬晶體管
??????? 美國IBM公司使用標準的主流半導體工藝，將一萬多個碳納米管打造的晶體管精確放置在了一顆芯片內，并且通過了測試。多年來，我們的芯片都根據摩爾定律發展：從以前的微米單位到現在的納米單位，從以往的90納
物理所制備基于二維層狀氧化鉬的全固態神經突觸晶體管
人類的大腦可以認為是一種高效的信息存儲與計算系統，具有非常低的功耗（~ 20 W）。這主要源于人腦對信息處理的獨特方式。人腦中存在大量的神經元，其相互連接構成復雜的神經元網絡。每兩個神經元的連接點稱為突觸，信息通過突觸連接強度（即突觸權重）的變化進行存儲與計算。突觸可塑性即是通過特定模式的突觸活
“向上生長”的芯片，突破摩爾定律限制
隨著芯片制造商不斷縮小其產品的尺寸，他們正面臨將大量計算能力塞進一塊芯片的極限。一款打破紀錄的芯片巧妙地避開了這個問題，這可能會促使電子設備的制造更加可持續。自20世紀60年代以來，要讓電子產品性能更強，關鍵在于將其基本構建單元晶體管做得更小，并更密集地集成在芯片上。這一趨勢被著名的摩爾定律所概括，
認識晶體管
晶體管原理及應用晶體管全稱雙極型三極管（Bipolar junction transistor，BJT）又稱晶體三極管，簡稱三極管，是一種固體半導體器件，可用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制等。晶體管作為一種可變開關．基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可用作電流的開關。和一般
碳納米晶體管性能首次超越硅晶體管
據美國威斯康星大學麥迪遜分校官網近日報道，該校材料學家成功研制的1英寸大小碳納米晶體管，首次在性能上超越硅晶體管和砷化鎵晶體管。這一突破是碳納米管發展的重大里程碑，將引領碳納米管在邏輯電路、高速無線通訊和其他半導體電子器件等技術領域大展宏圖。 碳納米管管壁只有一個原子厚，是最好的導電材料之一，
陳彧等發現石墨烯有望為信息存儲器“大限”解圍
很多人都知道，摩爾定律揭示了信息技術神話一樣的發展速度；但很多人不知道的是，2018年，以硅基材料為基礎的信息存儲技術將面臨發展“大限”。華東理工大學特聘教授陳彧帶領的課題組最近發現，石墨烯材料能有效拓展信息存儲空間，從而在以石墨烯為基礎的新型有機高分子信息存儲材料研究領域取得重大進展。研
美開發出迄今最小砷化銦鎵晶體管
硅半導體作為微芯片之王的日子已經屈指可數了，據物理學家組織網近日報道，美國麻省理工學院科學家開發出了有史以來最小的砷化銦鎵晶體管。該校微系統技術實驗室科研團隊開發的這個復合晶體管，長度僅為22納米。研究團隊近日在舊金山舉行的國際電子設備會議上介紹了該項研究成果。 麻省理工學院電氣工程和計算
技術分享：晶體管以類似水龍頭控制水流的方式控制電流
晶體管原理及應用晶體管全稱雙極型三極管（Bipolar junction transistor，BJT）又稱晶體三極管，簡稱三極管，是一種固體半導體器件，可用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制等。晶體管作為一種可變開關．基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可用作電流的開關
新材料將令芯片更小－硅時代進入倒計時
硅基晶體管無法一直縮小下去，芯片公司已經考慮用其它材料取代硅，其中的熱門替代材料包括鍺和半導體化合物III-V。 加州伯克利大學教授胡正明確信硅的日子屈指可數，下一代或下下一代人將不會再使用硅，將會有更好的材料去取代硅。硅基晶體管無法一直縮小下去，芯片公司已經考慮用其它材料取代硅，其中的熱
亞納米級孔隙三維圖像首次獲得
據物理學家組織網6月9日（北京時間）報道，美半導體研究公司與康耐爾大學的研究人員開發出一種新的方法，利用電子斷層成像技術首次獲得了亞納米級的孔隙三維圖像。科學家相信，對于半導體材料亞納米級結構的深入了解，將會不斷提高集成電路的性能，降低電能的消耗。 揭示信息技術進步速度的摩
一篇文章說清半導體制程發展史（一）
半導體制造工藝節點是如何演進的？晶體管的架構是怎樣發展成如今模樣的？下面告訴你...半導體制造的工藝節點，涉及到多方面的問題，如制造工藝和設備，晶體管的架構、材料等。下面，我們就具體介紹并分析一下，供大家參考。首先，技術節點是什么意思呢？常聽說的，諸如，臺積電16nm工藝的Nvidia GP
晶體管圖示儀
半導體管圖示儀是一種用示波管顯示半導體器件的各種特性曲線的儀器，并可測量低頻靜態參數。是從事半導體管研究制造及無線電領域工作者的一種必不可少的儀器。具有雙簇顯示功能特有場效應管配對和測試功能,5kV高壓測試臺。 技術參數： 集電極范圍 20uA/DIV～1A/DIV 分15檔，誤差不
英特爾創始人、“摩爾定律”提出者戈登·摩爾去世
當地時間2023年3月24日，英特爾和戈登和貝蒂·摩爾基金會宣布，英特爾公司聯合創始人、摩爾定律提出者戈登·摩爾（Gordon Moore）去世，享年94歲。 貝蒂·摩爾基金報告稱，Moore于2023年3月24日星期五在夏威夷的家中被家人包圍，平靜地去世。 基金會主席Harvey Fine
精準制造：從微納米邁向原子尺度
“空天海地的網絡建設，信息世界感知力、通信力以及智算力的建設，迫切需要高端、新型的硅基芯片。然而‘自上而下’的光刻技術制造方式已經接近物理極限。”在日前舉行的香山科學會議上，中國科學院院士許寧生說，全球精準制造的競爭已從微納米尺度邁向原子尺度，未來硅基芯片的發展水平將取決于大規模原子制造技術水平
Science：IBM科學家造出世界上最小的晶體管
巨頭英特爾（Intel）創始人之一Gordon Moore在1965年提出了業界著名的“摩爾定律（Moore's Law）”，大意為：集成電路上的元器件（例如晶體管）數目，每隔18個月至兩年便會增加一倍，性能也將提升一倍。摩爾定律在一定程度上反映了現代電子工業的飛速發展，但時至今日，隨著
具有千個晶體管的二維半導體問世！重新定義數據處理的能源效率
據最新一期《自然·電子學》報道，瑞士洛桑聯邦理工學院研究人員提出了一種基于二硫化鉬的內存處理器，專用于數據處理中的基本運算之一：向量矩陣乘法。這種操作在數字信號處理和人工智能模型的實現中無處不在，其效率的提高可為整個信息通信行業節約大量的能源。 新處理器將1024個元件組合到一個一平方厘米的芯
微處理器、智能手機與技術創新
從不久前沸沸揚揚的中興事件中，國人大體上都了解到微處理器芯片的極其重要性。沒有微處理器芯片，就沒有智能手機和許多創新產品。但是，許多人可能并不了解微處理器變遷和發展的速度有多快。2018年5月16日微軟首席執行官峰會上，艾德·拉佐斯卡教授（Ed Lazowska，華盛頓大學保羅·G·艾倫計算機科學與
把芯片“命根”拿捏的死死的，臺積電新突破意外助力大陸
目前，臺積電作為全球芯片代工業的領頭羊，為增強自身的核心競爭力，一直在未雨綢繆，近期更是在1納米芯片生產線上實現破冰。不過，有趣的是，臺積電這一新的突破，卻無形中提升了我國半導體產業的地位，因為它的“命根”很大程度上為大陸掌控。 眾所周知，前幾年美國向我們中國扔出禁止紙片芯片的禁令，臺積電突然
一篇文章說清半導體制程發展史（五）
14nm 繼續FinFET。下面是英特爾的14nm晶體管的SEM橫截面圖，大家感受一下，fin的寬度平均只有9nm。當然，在所有后代的技術節點中，前代的技術也是繼續整合采用的。所以現在，在業界和研究界，一般聽到的晶體管，都被稱作high-k/metal gate Ge-strained 14
柵極長度僅一納米的晶體管問世
在7日出版的《科學》雜志上，一美國研究小組發表論文稱，他們利用碳納米管和二硫化鉬（MoS2），成功制出目前世界最小晶體管，其柵極長度僅有1納米，這一僅是人類發絲直徑五萬分之一的尺度，遠低于硅基晶體管柵極長度最小5納米的理論極值。 制出更小的晶體管，是半導體行業一直努力的方向，柵極長度則被認為
7納米之“爭”：技術概念尚待厘清
近日，一則內容為“全球首個7納米（nm）量產芯片在嘉楠耘智誕生”的消息引發了大量關注與熱議，文中“領先世界”“彎道超車”等抓人眼球的字眼更是引起半導體行業內人士的質疑。 《中國科學報》記者了解到，發布“全球首款7nm量產芯片”的“嘉楠耘智”系一家比特幣礦機廠商（全稱為“杭州嘉楠耘智信息科技有限
科學家另辟蹊徑，為摩爾定律“續命”
谷電子器件應用前景廣闊，可能被用于量子計算、存儲、通信等領域。一旦谷電子器件在這些領域得到應用，將是電子科學領域的巨大突破。 仇成偉 新加坡國立大學講席教授 電子工業界有條著名的摩爾定律：集成電路上可容納的晶體管數目，大約每隔18個月便會增加一倍。近年來，隨著電子器件的尺寸越來越小，摩爾定
微波晶體管相關簡介
在微波波段工作的晶體管。微波波段指頻率在300兆赫～300吉赫的電磁波譜。按功能分類，微波晶體管包括微波低噪聲晶體管和微波大功率晶體管。按結構分類，微波晶體管可分為雙極型晶體管和場效應晶體管。 由于工作頻率高，微波晶體管必須具有微米或亞微米的精細幾何尺寸。隨著薄層外延技術、淺結擴散或離子注入技