英研發分子材料存儲裝置可客服閃存空間限制問題
英國新一期《自然》雜志刊載新研究說，科研人員開發出一種分子材料，可克服傳統電子元件造成的閃存空間限制問題，使常用的相機、手機等存儲卡提升存儲能力。 閃存是一種很普遍的數據存儲技術，但由于現有的數據單元設計問題，這種存儲方式有著物理上的局限性。目前閃存裝置采用金屬氧化物半導體，而用這種材料很難生產出10個納米單位以下大小的元件，這就限制了傳統硅芯片所能存儲的空間。 此前也有研究提出，可嘗試用單個分子替代這種金屬氧化物，從而打破物理局限性。但分子存儲材料存在耐熱性差、高電阻等許多現實障礙。為此，英國格拉斯哥大學研究人員與西班牙同行一起，利用一種被稱為“多金屬氧鹽酸”的化合物，合成出一類可發揮存儲作用的分子。實驗顯示，這種分子的結構穩定性和通電能力都符合要求，可用作閃存裝置的存儲節點。 領導這項研究的格拉斯哥大學教授李·克羅寧說，這種新材料的一大好處在于，它們可直接安裝在現有的閃存設備中，而不需要重新設計整條閃存裝置生產線，......閱讀全文
英研發分子材料存儲裝置－可客服閃存空間限制問題
英國新一期《自然》雜志刊載新研究說，科研人員開發出一種分子材料，可克服傳統電子元件造成的閃存空間限制問題，使常用的相機、手機等存儲卡提升存儲能力。 閃存是一種很普遍的數據存儲技術，但由于現有的數據單元設計問題，這種存儲方式有著物理上的局限性。目前閃存裝置采用金屬氧化物半導體，而用這種材料很難生
IBM相變存儲技術實現每單元存3比特數據－成本接近閃存
據物理學家組織網報道，IBM蘇黎世研發中心的科學家17日宣布，他們在相變存儲（PCM）技術領域取得重大突破——首次實現了單個相變存儲單元存儲3個比特的數據。最新研究有助降低PCM的成本，并有望加快其產業化步伐，最終為物聯網時代呈指數級增長的數據提供一種簡單且快速的存儲方式。 目前的存儲器種類包
為什么在NAND閃存存儲系統中實現低故障率不僅需要強...
為什么在NAND閃存存儲系統中實現低故障率不僅需要強大的ECC代碼？ 該行業非常重視單個ECC代碼的強度：但經常被忽視的是錯誤預防的強度，這在糾正甚至發揮作用之前是重要的我們如何在基于NAND閃存的系統中實現最低的故障率？您可能已在工程團隊或存儲系統供應商之間進行過此次討論。正在采取哪些措施來
固態硬盤閃存顆粒是什么
閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經寫入的數據，而且是以固定的區塊為單位，而不是以單個的字節為單位。因其，體積小，耐抗性強，存儲穩定等優勢，目前開始大規模運用在電子產品中。其中，固態硬盤產品的由來，就得益于閃存顆粒的大發展而誕生。與此同時，近年來手機、平板等電子
固態硬盤閃存顆粒分哪幾類
分為三種顆粒，MLC,TLC,SLCSLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快壽命長，價格超貴（約MLC 3倍以上的價格），約10萬次擦寫壽命MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價格一般，約3000---10000
石墨烯聯手輝鉬礦催生新型閃存
據物理學家組織網近日報道，瑞士洛桑聯邦理工學院的科學家通過將石墨烯和輝鉬礦(分子式為MoS2)兩種具有優越電性能的材料相結合，制成了新型閃存的原型，在性能、尺寸、柔性和能耗等方面都很具前景。相關研究報告發表在近期出版的《美國化學學會?納米》雜志上。 輝
2D－NAND和3D－NAND間有哪些區別和聯系？
如果用一個詞來描述2016年的固態硬盤市場的話，那么閃存顆粒絕對是會被提及的一個關鍵熱詞。在過去的2016年里，圍繞著閃存顆粒發生了一系列大事，包括閃存顆粒的量產引發固態漲價，閃存顆粒的制程問題引發的廠商競爭，以及“日經貼”般的MLC/TLC顆粒的優劣問題。那么，到底什么是閃存顆？2D NA
俄羅斯物理學家研制出基于石墨烯材料的閃存原型
俄羅斯科學院西伯利亞分院半導體物理研究所的科學家們利用多層石墨烯材料制造的閃存，無論在信息存儲速度還是保存時間方面都超過現有其它材料制成的閃存。 據科研人員介紹，石墨烯閃存的作用原理是在存儲介質（多層石墨烯材料）里注入和保存電荷，而隧道層和阻擋層是閃存必需的組成部分，其隧道層由氧化硅制得，阻
俄羅斯物理學家研制出基于石墨烯材料的閃存原型
俄羅斯科學院西伯利亞分院半導體物理研究所的科學家們利用多層石墨烯材料制造的閃存，無論在信息存儲速度還是保存時間方面都超過現有其它材料制成的閃存。 據科研人員介紹，石墨烯閃存的作用原理是在存儲介質（多層石墨烯材料）里注入和保存電荷，而隧道層和阻擋層是閃存必需的組成部分，其隧道層由氧化硅制得，
國產55納米相變存儲芯片
11月28日，寧波時代全芯科技有限公司在寧波現場發布了自主研發的55納米相變存儲芯片。這一成果的發布，使該公司成為繼韓國三星、美國美光之后，世界上第三家、中國第一家擁有相變存儲技術自主知識產權的企業，業內人士認為這將有利于打破存儲器芯片生產技術被國外公司壟斷的局面。 目前靜態隨機存儲技術、
關于嵌入式閃存的一些錯誤觀念（二）
嵌入式閃存支持EEPROM功能傳統的EEPROM架構支持字節寫操作，因而常常被需要頻繁更新數據的應用程序所用。通常，嵌入式閃存是按一定規則排列的一組存儲單元，又稱為扇區。扇區需要在寫入新數據前完全擦除。幸運的是，我們可以使用SRAM緩沖器在整個嵌入式閃存區的一小部分上模擬EEPROM功能，既
關于嵌入式閃存的一些錯誤觀念（一）
多年來，汽車行業的發展和創新一直推動著半導體行業的發展。根據IHS的數據可知，汽車半導體市場的年收入已經超過300億美元，而隨著ADAS的增加、燃油效率的提高以及便利性的提升，這一數字還將不斷上升。目前，每輛豪華車內部半導體元件的總價值約為1000美元，而中檔車內部半導體元件的總價值約為350美元，
閃存技術大餐——架構/顆粒/接口/可靠性全面解析架（二）
SSD接口技術 我們知道閃存磁盤是在HDD以后出現的，由于SSD優異的隨機性能、越來越大的容量和越來越低的成本等優勢，使得閃存熱度上升、乃至替換HDD的趨勢。由于歷史繼承性等原因，SSD在設計是也是借鑒了部分HDD技術，包含接口技術，現在絕大多數SSD都是采用SATA/SAS接口。SATA接口
中芯國際推出自主研發38納米NAND閃存工藝
9月11日，中芯國際集成電路制造有限公司（以下簡稱中芯國際）宣布38納米NAND閃存工藝制程已準備就緒，中芯國際憑此成為唯一一家可生產NAND產品的代工廠。該工藝平臺完全由中芯國際自主研發，可滿足特殊存儲器無晶圓廠對高質量、低密度NAND閃存持續增長的需求，使中芯國際占據該領域的領先地位。
閃存技術有望帶來太赫茲量級光子芯片
據科技日報報道，以色列科學家提出了一種新型集成光子回路制備技術——在微芯片上使用閃存技術，有望使體型更小、運行速度更快的光子芯片成為現實，運算頻率達太赫茲量級，從而將計算機和相關通信設備的運行速度提高100倍。分析稱，新研究有助科學家研制出新的、功能更強大的無線設備，大幅提高數據傳輸速度——這是改
閃存技術有望帶來太赫茲頻率光子芯片
閃存技術有望帶來太赫茲頻率光子芯片 將計算機運行速度提高一百倍 科技日報北京3月26日電（記者劉霞）據美國《每日科學》網站25日報道，以色列科學家提出了一種新型集成光子回路制備技術——在微芯片上使用閃存技術，有望使體型更小、運行速度更快的光子芯片成為現實，運算頻率達太赫茲量級，從而將計算機和相
閃存技術有望帶來太赫茲頻率光子芯片
據美國《每日科學》網站25日報道，以色列科學家提出了一種新型集成光子回路制備技術——在微芯片上使用閃存技術，有望使體型更小、運行速度更快的光子芯片成為現實，運算頻率達太赫茲量級，從而將計算機和相關通信設備的運行速度提高100倍。 北京大學現代光學所陳建軍研究員對科技日報記者說，到目前為止，研制
張云泉委員：夯實數據基礎設施－促進上云數據流動和安全
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/3/495316.shtm我國近年來在不斷推進企業數字化轉型，陸續發布了《關于推進“上云用數賦智”行動 培育新經濟發展實施方案》、《關于加快推進國有企業數字化轉型工作的通知》等政策文件，均鼓勵企業“上云用數賦智
一文解析SLC、MLC和TLC三者的區別
X3(3-bit-per-cell)架構的TLC芯片技術是MLC和TLC技術的延伸，最早期NAND Flash技術架構是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1個存儲器儲存單元(cell)中存放1位元(bit)的資料，直到MLC(Multi-Level Cell)技術
破解壟斷－我國首批32層3D－NAND閃存芯片年內將量產
位于武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項目芯片生產機臺１１日正式進場安裝，這標志著國家存儲器基地從廠房建設階段進入量產準備階段，我國首批擁有完全自主知識產權的３２層３ＤＮＡＮＤ閃存芯片將于年內量產，從而填補我國主流存儲器領域空白。圖片來源于網絡 目前，我國通用存儲器基本全部依賴進口，國家存儲器基
國產新星半導體巨頭崛起，實現彎道超車
首先是長江存儲在全球擁有10，000多名員工，7000多項ZL申請。是一家以3D NAND閃存為主，涵蓋計算機、移動通信等領域的電路企業，致力于成為存儲技術的領導者。如今，作為三星、東芝這樣的高科技企業，長江存儲曾經有著令人欽佩的R&D歷史。長江存儲的前身武漢新鑫，因經濟衰退而舉步維艱。危急之時
新研究厘清憶阻器工作時的內部變化
據美國計算機世界網站5月16日報道，惠普公司的科學家在憶阻器的研發上取得新突破，他們弄清楚了憶阻器在電操作期間，其內部的化學性質和結構變化，借此可以改進現有憶阻器的性能。相關研究發表在16日出版的《納米技術》雜志上。 憶阻器是一種有天然記憶功能的非線性電阻，通過控制電流的變
新型存儲器有望推動存儲技術的變革
集成電路，俗稱“芯片”，是信息技術產業的核心，被譽為國家的工業糧食。而存儲器是存儲信息的主要載體，占集成電路市場的四分之一，我國存儲器市場占全球市場的一半，但缺乏自主知識產權和人才，導致高密度、大容量存儲器完全依賴進口。這給我國的信息安全帶來了極大的隱患。 為解決此難題，有一個團隊默默耕耘了十
IBM研發出最新多位相變存儲器
據美國物理學家組織網近日報道，IBM的科學家演示了最新的多位相變存儲器，其每個存儲格都能長時間可靠地存儲多個字節的數據。最新技術讓人們朝成本更低、速度更快、更耐用的存儲技術前進了一大步，可廣泛應用于包括手機在內的消費電子設備、云存儲以及對性能要求更高的企業數據存儲中。 相變存
“記憶閃存法”或可提高孤獨癥患者學習能力
以色列政府新聞辦公室1日發布公報稱，該國近期一項研究發現“記憶閃存法”或能增強孤獨癥患者的視覺識別及學習能力，相關論文已發表在美國《當代生物學》雜志上。孤獨癥（也稱自閉癥）患者常常存在感知和記憶障礙，改善孤獨癥患者的認知能力一般需要長期繁瑣的訓練。由以色列特拉維夫大學和內蓋夫本-古里安大學合作完成的
“記憶閃存法”或可增強孤獨癥患者學習能力
以色列政府新聞辦公室1日發布公報稱，該國近期一項研究發現“記憶閃存法”或能增強孤獨癥患者的視覺識別及學習能力，相關論文已發表在美國《當代生物學》雜志上。 孤獨癥（也稱自閉癥）患者常常存在感知和記憶障礙，改善孤獨癥患者的認知能力一般需要長期繁瑣的訓練。由以色列特拉維夫大學和內蓋夫本-古里安大學合作
我國成功研制80納米“萬能存儲器”核心器件
想必大家都曾經遭遇過電腦突然斷電，因數據未及時保存后悔不已；或是因為手機待機時間太短而莫名焦慮……這些尷尬有望避免。記者日前獲悉，北京航空航天大學電子信息工程學院教授趙巍勝與中科院微電子所集成電路先導工藝研發中心研究員趙超聯合團隊經過三年攻關，成功制備國內首個80納米自旋轉移矩-磁隨機存儲器器件
PB級海量存儲－區塊鏈開源存儲引擎“泓”問世
日前從北京微芯區塊鏈與邊緣計算研究院獲悉，該研究院長安鏈團隊成功研發海量存儲引擎Huge，中文名“泓”。該引擎可支持PB級數據存儲，是目前全球支持量級最大的區塊鏈開源存儲引擎。在區塊鏈與5G、人工智能等數字經濟新基建相融合的應用場景中，通過“泓”加持，長安鏈將進一步為可信萬物互聯保駕護航。 區塊
閃存技術大餐——架構/顆粒/接口/可靠性全面解析架（一）
閃存技術大餐——架構/顆粒/接口/可靠性全面解析架構/顆粒/接口/可靠性全面解析 閃存最明顯特點就是穩定性能，低時延和高隨機IOPS。對于閃存，在評估性能時，我們一般主要關注90% IO落入規定的時延范圍(性能是一個線性范圍，而不是某一個點)。數據保護等追求所有軟件特性都基于Inlin
海綿存儲動物DNA
就像人類會把DNA留在自己居住的地方，水棲動物也能把DNA留在水里。在近日發表于《當代生物學》的一篇論文中，科學家報告說，海綿每天可以過濾1萬升水，因此會在它們的組織中捕捉到其他動物的DNA。研究人員在南極和地中海的海綿中發現了魚類、海豹和企鵝的DNA，證明海綿可以用來監測生物多樣性。 “海綿