俄學者發現空氣對納米電子半導體有致命影響

　　俄羅斯托木斯克理工大學發布消息稱，該校與德國、委內瑞拉的科學家最近證實了二維半導體硒化鎵在空氣中的易損性，該重要發現有助于制造硒化鎵基超導納米電子產品。研究結果發表在《Semiconductor Science and Technology》(IF 2.305, Q2)雜志上。

　　 現代材料學中，二維材料（即只有一個或幾個原子層厚的薄膜材料）的研究是一個具有前景的領域，它具有優異的導電性，強度高，可以成為超小尺寸（納米電子產品）現代電子產品的主要器件。光電產品需要使用能夠在光照射時產生大電子流的新材料，有效解決該問題的二維半導體之一就是硒化鎵。

　　 國際一些科研小組曾經嘗試制造硒化鎵基電子設備，雖然對該材料進行了大量的理論研究，但該材料在現實裝置中的應用還不明朗，托木斯克理工大學激光與光學技術的科研組成功揭示了其中的原因。他們通過光組合散射光譜法和XPS方法研究了硒化鎵，確定鎵和氧之間存在化學鍵，硒化鎵一接觸空氣就會迅速被氧化，從而失去生產納米電子設備所必需的導電性能。 進一步研究硒化鎵氧化敏感性可以研究出保護和保存硒化鎵光電性能的解決方案。