光電所深紫外光刻機鍍膜技術研究取得新進展
193nm 光刻機是目前半導體產業的核心裝備。為實現大的數值孔徑，光刻機鏡頭通常包含大量接近于半球形狀的凸球面和凹球面，這些球面導致同一鏡面上光線入射角度范圍高達0°到60°以上。目前通用的熱蒸發行星鍍膜技術會引起球面上嚴重的膜厚不均勻；同時在球面上的不同位置，高低折射率材料如LaF3 和MgF2 的折射率也發生明顯改變，從而導致球面鏡片上不同位置的寬入射角度范圍的增透膜的光譜明顯不一致。 繼2012年解決大口徑球面鏡片上的膜厚不均勻問題后，中國科學院光電技術研究所鍍膜團隊成員、中國科學院青年創新促進會會員柳存定致力于分析球面鏡片上薄膜性質和位置的關系。通過掃描電鏡分析球面鏡片上不同位置的薄膜結構，發現隨著位置從中心到邊沿，呈柱狀生長的單層氟化物薄膜傾斜角度逐漸增大；通過計算機模擬，確認矢量生長模型可以較好地符合光刻機鍍膜過程。研究結果顯示薄膜微結構如柱狀結構的傾角增大導致了折射率非均勻性從鏡片中心到邊沿逐漸增大。相關結果......閱讀全文
光電所深紫外光刻機鍍膜技術研究取得新進展
193nm 光刻機是目前半導體產業的核心裝備。為實現大的數值孔徑，光刻機鏡頭通常包含大量接近于半球形狀的凸球面和凹球面，這些球面導致同一鏡面上光線入射角度范圍高達0°到60°以上。目前通用的熱蒸發行星鍍膜技術會引起球面上嚴重的膜厚不均勻；同時在球面上的不同位置，高低折射率材料如LaF3 和MgF
光刻機的紫外光源
曝光系統最核心的部件之一是紫外光源。 常見光源分為: 可見光：g線：436nm 紫外光（UV），i線：365nm 深紫外光（DUV）,KrF 準分子激光：248 nm, ArF 準分子激光：193 nm 極紫外光（EUV），10 ~ 15 nm 對光源系統的要求 a.有適當的波長。
光電所在光學薄膜厚度均勻性控制技術方面取得進展
中國科學院光電技術研究所深紫外鍍膜課題組在光刻機鏡頭鍍膜技術上取得一系列進展，提出并實現了數種提高光學薄膜厚度均勻性的辦法，克服了大口徑大曲面鏡頭上薄膜厚度均勻性控制的難題。 光刻機鏡頭中包含大量的曲面光學鏡頭，隨著光刻機數值孔徑增大，部分光學鏡面的口徑增大且形狀逐步接近于半球，鏡面上鍍膜后的
極紫外線光刻機和簡介和功能
極紫外線光刻機是芯片生產工具，是生產大規模集成電路的核心設備，對芯片工藝有著決定性的影響。小于5納米的芯片晶圓，只能用EUV光刻機生產。 2018年4月，中芯國際向阿斯麥下單了一臺EUV（極紫外線）光刻機，預計將于2019年初交貨。 功能 光刻機（又稱曝光機）是生產大規模集成電路的核心設備
光刻機為什么一定用紫外線
光刻機采用激光將圖形刻印在半導體上，但光是電磁波，不同的光線具有不同的波長。如果需要刻印的圖形非常微小，而采用的光線波長較大，則刻不出想要的圖形。就像你不能用拖把（書寫痕跡粗大）在田字格本上寫毛筆字（筆劃細小）。現在的芯片集成度越來越高，最高端的芯片工藝已經到了2nm級別。而可見光波長在780nm（
光電所研制出實用深紫外光刻機
近日，中國科學院光電技術研究所微電子專用設備研發團隊研制成功波長254nm的實用深紫外光刻機（Mask aligner），光刻分辨力達到500nm。 Mask aligner因使用方便、效率高、成本低，一直是使用面最廣、使用數量最多的一種光刻設備。在現有的微納加工工藝中，光刻所采用的波段是決定
光學鍍膜簡介
光學鍍膜由薄膜層組合制作而成，它產生干擾效應來提高光學系統內的透射率或反射性能。光學鍍膜的性能取決于層數、個別層的厚度和不同的層接口折射率。用于精密光學的zui常見鍍膜類型：增透膜(AR)、高反射（鏡）膜、 分光鏡膜和過濾光片膜。增透膜包括在高折射率的光學中并用于zui大化光
鍍膜過程監控
光譜儀 AvaSpec-ULS2048（200-1100nm）軟件 AvaSoft-Full軟件和XLS或PROC應用軟件光源 AvaLight-DH-S-BAL均衡光譜型氘-鹵素燈光纖探頭 1根FCR-7UV200-2-ME反射型光纖探頭，1根FC-UV600-2光纖和1根FC-UV200-2光纖
與真空鍍膜相比，離子鍍膜有哪些優點
通過真空鍍膜技術的應用,使塑料表面金屬化,將有機材料和無機材料結合起來,大提高了它的物理、化學性能.其優點主要表現在：改善美觀,表面光滑,金屬光澤彩色化,裝飾性大大提高；改善表面硬度,原塑膠表面比金屬軟而易受損害,通過真空鍍膜,硬度及耐磨性大大增加；提高耐候性,一般塑料在室外老化很快,主要原因是紫外
紫外納米壓印光刻機提升我國微納級制造業能力
記者日前從中科院光電技術研究所獲悉，該所微電子專用設備研發團隊已自主研制出一種新型紫外納米壓印光刻機，其成本僅為國外同類設備1/3，將有力推進我國芯片加工等微納級結構器件制造水平邁上新的臺階。 光刻機是微納圖形加工的專用高端設備。光電所微電子裝備總體研究室主任胡松介紹，這套設備采用新型納米對準
[光學]鍍膜的定義
中文名稱[光學]鍍膜英文名稱optical thin film deposition定 義在光學零件表面上鍍上一層或多層光學薄膜的工藝過程。應用學科機械工程（一級學科），光學儀器（二級學科），光學儀器一般名詞（三級學科）
[光學]鍍膜的定義
中文名稱[光學]鍍膜英文名稱optical thin film deposition定 義在光學零件表面上鍍上一層或多層光學薄膜的工藝過程。應用學科機械工程（一級學科），光學儀器（二級學科），光學儀器一般名詞（三級學科）
電鍍膜厚儀
XRF2000鍍層測厚儀檢測電子電鍍,化學鍍層厚度,如鍍金,鍍鎳,鍍銅,鍍鉻,鎳鋅,鍍銀,鍍鈀...可測單層,雙層,多層,合金鍍層,測量范圍:0.04-35um測量精度:±5%,測量時間只需30秒便可準確知道鍍層厚度全自動臺面,操作非常方便簡單XRF2000鍍層測厚儀,提供金屬鍍層厚度的測量，同時可
光刻機原理
光刻機原理： 是利用光刻機發出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發生性質變化，從而使光罩上得圖形復印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用。這就是光刻的作用，類似照相機照相。照相機拍攝的照片是印在底片上，而光刻刻的不是照片，而是電路圖和其他電子元件。光刻是集成電路最重要的
光刻機原理
光刻機原理是通過一系列的光源能量、形狀控制手段，將光束透射過畫著線路圖的掩模，經物鏡補償各種光學誤差，將線路圖成比例縮小后映射到晶圓上，最后形成芯片。就好像原本一個空空如也的大腦，通過光刻技術把指令放進去，那這個大腦才可以運作，而電路圖和其他電子元件就是芯片設計人員設計的指令。光刻機就是把芯片制作所
真空鍍膜技術與濕式鍍膜技術對比
真空鍍膜技術與濕式鍍膜技術相比較，具有下列優點：(1)薄膜和基體選材廣泛，薄膜厚度可進行控制，以制備具有各種不同功能的功能性薄膜。(2)在真空條件下制備薄膜，環境清潔，薄膜不易受到污染，因此可獲得致密性好、純度高和涂層均勻的薄膜。(3)薄膜與基體結合強度好，薄膜牢固。(4)干式鍍膜既不產生廢液，也無
AR鍍膜減反射玻璃－AR鍍膜設備應用于哪些領域
AR鍍膜減反射玻璃 AR鍍膜設備應用于哪些領域 AR鍍膜減反射玻璃，是一種將玻璃表面進行特殊處理的玻璃，其與普通玻璃相比具有較低的反射比。 AR鍍膜設備主要應用： 在普通的鋼化玻璃表面鍍膜，從而提高了鋼化玻璃表面的透光率以及實現了易清潔功能。同時還延長了玻璃的壽命。AR鍍膜
AR鍍膜減反射玻璃－AR鍍膜設備應用于哪些領域
AR鍍膜減反射玻璃 AR鍍膜設備應用于哪些領域 AR鍍膜減反射玻璃，是一種將玻璃表面進行特殊處理的玻璃，其與普通玻璃相比具有較低的反射比。 AR鍍膜設備主要應用： 在普通的鋼化玻璃表面鍍膜，從而提高了鋼化玻璃表面的透光率以及實現了易清潔功能。同時還延長了玻璃的壽命。AR鍍膜
真空鍍膜的概念
真空鍍膜是指在高真空的條件下加熱金屬或非金屬材料，使其蒸發并凝結于鍍件（金屬、半導體或絕緣體）表面而形成薄膜的一種方法。例如，真空鍍鋁、真空鍍鉻等。
光刻機的概述
光刻機（Mask Aligner）是制造微機電、光電、二極體大規模集成電路的關鍵設備。其分為兩種，一種是模板與圖樣大小一致的contact aligner，曝光時模板緊貼晶圓；另一種是利用類似投影機原理的stepper，獲得比模板更小的曝光圖樣。高端光刻機被稱為“現代光學工業之花”，制造難度很大
光刻機工作原理
1、測量臺、曝光臺：是承載硅片的工作臺。2、激光器：也就是光源，光刻機核心設備之一。3、光束矯正器：矯正光束入射方向，讓激光束盡量平行。4、能量控制器：控制最終照射到硅片上的能量，曝光不足或過足都會嚴重影響成像質量。5、光束形狀設置：設置光束為圓型、環型等不同形狀，不同的光束狀態有不同的光學特性。6
光刻機的分類
光刻機一般根據操作的簡便性分為三種，手動、半自動、全自動 A 手動：指的是對準的調節方式，是通過手調旋鈕改變它的X軸，Y軸和thita角度來完成對準，對準精度可想而知不高了； B 半自動：指的是對準可以通過電動軸根據CCD的進行定位調諧； C 自動： 指的是 從基板的上載下載，曝光時長和循
光刻機是什么
光刻機（Mask Aligner) 又名：掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統等。常用的光刻機是掩膜對準光刻，所以叫 Mask Alignment System.Photolithography（光刻） 意思是用光來制作一個圖形（工藝）；在硅片表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉移光刻膠上的過程將器件或電
什么是光刻機
光刻機（Mask?Aligner）是制造微機電、光電、二極體大規模集成電路的關鍵設備。其分為兩種，一種是模板與圖樣大小一致的contact aligner，曝光時模板緊貼晶圓；另一種是利用類似投影機原理的stepper，獲得比模板更小的曝光圖樣。高端光刻機被稱為“現代光學工業之花”，制造難度很大，全
光刻機工作原理
1、測量臺、曝光臺：是承載硅片的工作臺。2、激光器：也就是光源，光刻機核心設備之一。3、光束矯正器：矯正光束入射方向，讓激光束盡量平行。4、能量控制器：控制最終照射到硅片上的能量，曝光不足或過足都會嚴重影響成像質量。5、光束形狀設置：設置光束為圓型、環型等不同形狀，不同的光束狀態有不同的光學特性。6
光刻機是什么
1、光刻機（Mask Aligner) 又名：掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統等。常用的光刻機是掩膜對準光刻，所以叫 Mask Alignment System.2、一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。3、Photolithogra
光刻機是什么
光刻機又名掩模對準曝光機、曝光系統、光刻系統等，是制造芯片的核心裝備。它采用類似照片沖印的技術，把掩膜版上的精細圖形通過光線的曝光印制到硅片上。光刻機的種類可分為：接觸式曝光、接近式曝光、投影式曝光。 光刻機的工作原理是通過一系列的光源能量、形狀控制手段，將光束透射過畫著線路圖的掩模，經物鏡補
光刻機的種類
a.接觸式曝光（Contact Printing）：掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形分辨率相當，設備簡單。接觸式，根據施加力量的方式不同又分為：軟接觸，硬接觸和真空接觸。 1.軟接觸 就是把基片通過托盤吸附住（類似于勻膠機的基片放置方式），掩膜蓋在基片上面； 2.硬接
光刻機怎么制作
第一步：制作光刻掩膜版（Mask Reticle）芯片設計師將CPU的功能、結構設計圖繪制完畢之后，就可將這張包含了CPU功能模塊、電路系統等物理結構的“地圖”繪制在“印刷母板”上，供批量生產了。這一步驟就是制作光刻掩膜版。光刻掩膜版：（又稱光罩，簡稱掩膜版），是微納加工技術常用的光刻工藝所使用的圖
佳能光刻機共享
儀器名稱：佳能光刻機儀器編號：80424600產地：日本生產廠家：日本型號：PLA-500出廠日期：198004購置日期：198004所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>光刻工藝放置地點：微電子所新所一樓微納平臺光刻間固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（010-62781090,1