6英寸碳化硅單晶襯底研制成功
近日，中國科學院物理研究所北京凝聚態物理國家實驗室（籌）先進材料與結構分析實驗室團隊人員與北京天科合達藍光半導體有限公司合作，成功研制出了6英寸碳化硅（SiC）單晶襯底。 據悉，碳化硅屬于第三代半導體材料，是制造高亮度LED、電力電子功率器件以及射頻微波器件的理想襯底。 上圖 科研人員在測量6英寸碳化硅單晶襯底的尺寸（12月9日攝）。 下圖 中國科學院物理研究所陳小龍研究員在一幅演示碳化硅物理原理的圖表前展示6英寸碳化硅單晶襯底（12月17日攝）。......閱讀全文
寧波材料所在碳化硅復合材料綠色低成本技術取得進展
先驅體轉化碳化硅陶瓷基復合材料（CMCs）主要應用于制備具有耐高溫、抗氧化、耐磨性好、熱膨脹率小、導電導熱性好、硬度高和耐腐蝕等優異性能的，并可近凈尺寸成型的高性能陶瓷材料和纖維增強陶瓷基復合材料；目前已被廣泛應用于高端科技與國防軍事領域，如空間遙感成像光學系統輕量化支撐結構件、航空航天發動機熱
材料所碳化硅纖維及復合材料研發及應用平臺開工建設
8月30日，中國科學院寧波材料技術與工程研究所杭州灣研究院碳化硅纖維及復合材料研發及應用平臺項目開工建設。 開工儀式上，寧波材料所所長黃政仁介紹了碳化硅纖維及復合材料研發及應用平臺的基本情況。杭州灣新區管委會主任、黨工委副書記楊勇表示，項目建成后，將對新區集聚創新資源、優化創新服務、加快成果轉
徐慢教授研發出碳化硅陶瓷膜新材料
無獨有偶，武漢工程大學徐慢教授研發的碳化硅陶瓷膜新材料，讓過濾網在高腐蝕性、易沉積等環境下仍然能有效過濾掉'有害物質'。他與深圳一家公司達成合作，這項技術的評估價格為1500萬元。徐慢教授表示，按照我省最新的科研成果轉化鼓勵政策，他所在的科研團隊獲得可觀收益，大家的科研創新積極性倍增。 氫氣
攻關克難－寧波材料所碳化硅先驅體研究獲進展
碳化硅（SiC）陶瓷具有耐高溫、耐腐蝕、耐磨損、耐輻照、強度大、硬度高、熱膨脹率小等優異的綜合性能，在能源安全領域扮演著重要的角色。目前陶瓷材料包括SiC陶瓷的成型主要采用傳統的粉末方法，即從微粉制備、成型（包括壓延、擠塑、干壓、等靜壓、澆注、注射等方式）、燒結到加工這一過程。近30年來，陶瓷材
關于鋰電池碳基材料碳化硅的分析應用
碳化硅材料由于其較高的彈性模量、適中的密度、較小的熱膨脹系數、較高的導熱系數、耐熱沖擊性、高的比剛度、高度的尺寸穩定性等一系列優良的物理性質，受到越來越多的重視，普遍用于陶瓷球軸承、閥門、半導體材料、陀螺、測量儀、航空航天等領域。尤其在半導體領域，國產替代空間巨大，國內企業有望在政策的推動下實現
寧波材料所高品質碳化硅陶瓷先驅體研制獲進展
碳化硅（SiC）陶瓷具有耐高溫、耐磨損、耐腐蝕、耐輻照、抗氧化、熱膨脹率小和熱導率高等優異的綜合性能，在航空航天、核電、高速機車、武器裝備等關鍵領域具有重要的應用價值。SiC陶瓷因其極高的熱穩定性和強度，成型加工困難。 目前，國際上陶瓷材料的制備主要采用傳統的粉末成型方法，包括微粉制備、成型（
天科合達成為英飛凌國產碳化硅材料供應商
5月3日，北京天科合達半導體股份有限公司（以下簡稱天科合達）與英飛凌公司簽訂了一份長期供貨協議，天科合達將為英飛凌供應用于生產碳化硅（SiC）半導體的6英寸碳化硅材料，其供應量占英飛凌未來長期預測需求的兩位數份額。據悉，天科合達孵化于中國科學院物理研究所（以下簡稱物理所），英飛凌公司前身是西門子集團
寧波材料所制備出新型碳化硅陶瓷致密化燒結助劑
碳化硅陶瓷作為現代工程陶瓷之一，其硬度僅次于金剛石，具有熱膨脹系數小、熱導率高、化學穩定性好、耐磨性能高、在高溫下仍具有良好力學性能和抗氧化性能等突出的物理化學性質，成為最具發展前景的結構陶瓷，可以廣泛應用于石油化工、冶金機械、微電子器件和航空航天等領域。同時，SiC還具有低的中子活性、良好的耐
寧波材料所制備出新型碳化硅陶瓷致密化燒結助劑
碳化硅陶瓷作為現代工程陶瓷之一，其硬度僅次于金剛石，具有熱膨脹系數小、熱導率高、化學穩定性好、耐磨性能高、在高溫下仍具有良好力學性能和抗氧化性能等突出的物理化學性質，成為最具發展前景的結構陶瓷，可以廣泛應用于石油化工、冶金機械、微電子器件和航空航天等領域。同時，SiC還具有低的中子活性、良好的耐
寧波材料所就核用碳化硅及核能材料基因組工程發表觀點
核能的發展與安全性提升，離不開新型核材料的出現以及對于傳統核材料的改進。自2011年福島核事故以來，人們對反應堆包殼材料提出了事故容錯性的迫切需求，即在核安全事故發生后的一段時間內，包殼材料能夠保持其結構與功能的完整性，進而為后續的救助與修復工作爭取時間。近期，中國科學院寧波材料技術與工程研究所
麻省理工學院開發碳化硅核燃料包殼材料
近期，美國麻省理工學院(MIT)的研究人員正在測試碳化硅(SiC)陶瓷基體燃料包殼材料，這種材料能把產生氫氣的風險降低幾千倍，并為核燃料提供與鋯合金類似的保護。 世界上其他研究機構也提出將SiC用于核燃料包殼，而MIT目前正在開展最為詳細的測試和模擬。MIT的Kazimi教授及其團隊不僅在
碳化硅展|2024上海國際碳化硅展覽會「官網」
展會名稱：2024中國（上海）國際半導體展覽會英文名稱：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展會時間：2024年11月18-20日?論壇時間：2024年11月18-19日?展會地點：上海新國際
全國官宣/2024深圳半導體制造封裝材料展｜碳化硅半導體材料與電子元器件展
深圳電子元器件展，電子儀器儀表展，深圳電子儀器儀表展，電子元器件展，深圳電子設備展，電子設備展，電子元器件展覽會，電子儀器展，深圳電子儀器展，電儀器展覽會，深圳繼電器展，深圳電容器展，深圳連接器展，深圳集成電路展2024中國（深圳）國際半導體與封裝設備展覽會2024 China (Shenzhen)
2024深圳國際半導體產業展－華南碳化硅半導體材料與分立器件展會
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碳化硅坩堝的相關介紹
碳化硅坩堝為一陶瓷深底的碗狀容器。當有固體要以大火加熱時，就必須使用坩堝。因為它比玻璃器皿更能承受高溫。坩堝使用時通常不會把熔化的東西放的太滿，以防止受熱物跳出，并讓空氣能自由進出以進行可能的氧化反應。坩堝因其底部很小，一般需要架在泥三角上才能以火直接加熱。坩堝在鐵三角架上用正放或斜放皆可，視實
碳化硅－(SiC)：歷史與應用
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年的歷史，主要用于磨輪和眾多其他研磨應用。利用當代技術，人們已使用SiC 開發出高質量的工業級陶瓷。這些陶瓷
粒度大小對碳化硅的影響
?光伏材料又稱太陽電池材料，只有半導體材料具有這種功能。太陽能光伏發電產業鏈分為五個環節，即從硅材料到硅片、太陽電池片、太陽電池組件，zui后到光伏發電系統應用。光伏產業上游硅片多線切割技術主要采用以碳化硅微粉為切割刃料并輔以其他試劑進行切割，在此技術中綠碳化硅微粉的品質狀況直接決定了切片的效率。因
粒度對碳化硅微粉生產的影響
光伏材料又稱太陽電池材料，只有半導體材料具有這種功能。太陽能光伏發電產業鏈分為五個環節，即從硅材料到硅片、太陽電池片、太陽電池組件，zui后到光伏發電系統應用。光伏產業上游硅片多線切割技術主要采用以碳化硅微粉為切割刃料并輔以其他試劑進行切割，在此技術中綠碳化硅微粉的品質狀況直接決定了切片的效率
歐盟研發廢輪胎制碳化硅技術
歐盟輪胎氣化殘留物(TyGRE)項目組正在研究將廢棄輪胎回收轉化為碳化硅及燃料等產品。 目前，歐洲每年產生約300萬噸輪胎廢棄物，其中有65%~70%最終進入堆填區。意大利國家新技術、能源和可持續經濟發展局(ENEA)研究員 Sabrina Portofina稱，作為該項目的一部分，她
碳化硅在三大領域的作用
人類1905年 第一次在隕石中發現碳化硅，現在主要來源于人工合成，碳化硅有許多用途，行業跨度大，可用于單晶硅、多晶硅、砷化鉀、石英晶體等、太陽能光伏產業、半導體產業、壓電晶體產業工程性加工材料。在半導體領域的應用碳化硅一維納米材料由于自身的微觀形貌和晶體結構使其具備更多獨特的優異性能和更加廣
碳化硅雜化聚合物涂料防腐
堅持在底材表面溫度低于5℃和不能滿足高于露點3℃的情況下不能施工，如果施工隊或業主等非要施工，應做好記錄或出具不符合性報告。蕞好有人見證簽字。這些手續不出事沒用，但出現索賠時可是重要證據；2、涂面漆前檢驗前道碳化硅雜化聚合物涂料涂層表面狀況，如果發現表面發粘，要求先對胺霜進行處理后再進行施工，處理方
關于碳化硅，你不知道的事……
碳和硅的原子序數分別為6和14，在元素周期表中處于碳族元素的第二和第三周期，即上下相鄰的位置。這種位置關系，表明它們在某些方面具有類似的性質。 碳元素在我們的生活中無處不在，含碳化合物是生命的物質基礎。硅也在地殼中的含量巨大，尤其是它在半導體和現代通訊業中的應用，推動了人類文明的發展。
我建成亞洲最大寬禁帶碳化硅基地
近日，記者從中國寬禁帶功率半導體產業聯盟獲悉，國家重大科技成果轉化及山東省重點建設項目——山東天岳先進材料科技有限公司功能器材用碳化硅襯底項目順利完工,標志著我國建成亞洲規模最大的寬禁帶碳化硅半導體材料生產基地。 據悉，寬禁帶碳化硅半導體材料是第三代半導體核心材料，目前正在逐步取代硅(Si)
粒度分析在碳化硅微粉生產中的影響
光伏材料又稱太陽電池材料，只有半導體材料具有這種功能。太陽能光伏發電產業鏈分為五個環節，即從硅材料到硅片、太陽電池片、太陽電池組件，zui后到光伏發電系統應用。光伏產業上游硅片多線切割技術主要采用以碳化硅微粉為切割刃料并輔以其他試劑進行切割，在此技術中綠碳化硅微粉的品質狀況直接決定了切片的效率。因此
基于碳化硅的量子器件獲重大突破
記者從中國科大獲悉，該校郭光燦院士團隊李傳鋒、許金時等人與合作者合作，在國際上首次實現了單個碳化硅雙空位色心電子自旋在室溫環境下的高對比度讀出和相干操控。這是繼金剛石氮空位（NV）色心后第二種在室溫下同時具有高自旋讀出對比度和高單光子發光亮度的固態色心，該成果對發展基于碳化硅這種成熟半導體材料的
碳化硅雜化聚合物施工方案
雜化聚合物結合了兩種已知的聚合物，即由強共價鍵作用而成的聚合物和非共價鍵作用而成的聚合物，即所謂的分子聚合物。它們結合能提供了兩個截然不同的區室，化學家和材料科學家可以用其生成功能材料，比如能像肌肉一樣收縮或擴張的聚合物材料。我們聚合物擁有納米大小的區室，它們能夠被移除并多次化合功能。他進一步解釋說
陳小龍：20余年堅守創新－“開路”國產碳化硅
“要么做真正原創性的基礎研究，要么做意義重大、促進產業發展的研究，不能做一些兩不靠的工作，這些意義不大，我們的理想是兩者兼顧。”這是中國科學院物理研究所研究員陳小龍一直以來所堅守的信念。 陳小龍長期從事第三代半導體材料碳化硅晶體制備的基礎和應用基礎研究，20多年來，他帶領團隊從零開始自主創新，
碳化硅雜化聚合物原料性能介紹
碳化硅雜化聚合物原料性能介紹 碳化物，是金剛石的混合體，故取名金剛砂，碳化硅微粉在油漆和涂料： 1、樹脂用量少/加量的潛力大：因為形狀中，球形具有小的比表面積，對樹脂的需求量也少。顆粒的堆積情況。碳化硅陶瓷微粉的寬的粒徑分布使得小的微球能夠填充到大的微球之間的空隙中。其結果就是：高加入量、高
4米碳化硅反射鏡誕生記
一塊直徑4米的碳化硅反射鏡躺在中國科學院長春光學精密機械與物理研究所（以下簡稱長春光機所）實驗室中，閃閃發光。這塊看似普通的鏡子，卻是國防工程中期待已久的技術突破。 8月21日，由長春光機所承擔的國家重大科研裝備研制項目“4米量級高精度碳化硅非球面反射鏡集成制造系統”通過項目驗收。不久的將來，
氧化鎵和碳化硅功率芯片的技術差異
SiC（碳化硅）商業化已經20 多年了，GaN 商業化還不到5 年時間。因此人們對GaN 未來完整的市場布局并不是很清楚。SiC 的材料特性是能夠耐高壓、耐熱，但是缺點是頻率不能高，所以只能做到效率提升，不能做到器件很小。現在很多要做得很小，要控制成本。而GaN 擅長高頻，效率可以做得非常好。例如，