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    第十六屆國際晶體生長會議(ICCG16)在京召開

    “第十六屆國際晶體生長會議暨第十四屆國際氣相生長與外延會議”(ICCG-16/ICVGE-14)于8月9至13日在北京國際會議中心成功召開。本次會議是由中國科學院理化技術研究所主辦,中國科學院、國家自然科學基金委員會、中國硅酸鹽學會支持的專業性國際盛會。 被譽為國際晶體生長界“奧林匹克” 盛會的國際晶體生長會議每三年舉行一次,自1966年在美國波士頓舉辦第一屆起,至今已經有44年的歷史。這次是首次在發展中國家舉辦,也是第一次在中國召開。根據大會組委會的初步統計,參加大會的正式代表超過1100人,分別來自30多個國家和地區。其中,注冊登記的國外代表600多人,國內代表500多人,參會人數為歷屆之最。 8月9日的大會開幕式由山東大學王繼楊教授主持。本屆大會主席陳創天院士、國際晶體生長大會主席A. A. Chernov教授和中國硅酸鹽學會理事長張人為分別致歡迎辭。之后陳創天院士、Eicke R. Weber教授......閱讀全文

    第十六屆國際晶體生長會議在京舉行

      “第十六屆國際晶體生長會議及第十四屆國際氣相生長與外延會議”(ICCG-16/ICVGE-14),于2010年8月9日至13日在北京國際會議中心舉行。本次會議是由國際晶體生長協會主辦、中國硅酸鹽學會晶體生長與材料分會承辦,中國科學院、國家自然科學基金委員會、中國硅酸鹽學會支持的專

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    我國科學家在空間站完成銦硒半導體晶體生長實驗

    記者從中國科學院空間應用工程與技術中心獲悉,利用中國空間站高溫材料科學實驗柜,我國科研人員完成銦硒半導體晶體生長實驗,獲得完整晶體樣品。半導體材料在集成電路、電力電子、通信等領域發揮著不可替代的作用。銦硒半導體晶體是一種柔性半導體材料,不僅具有傳統半導體材料優異的物理性能,而且可像金屬一樣進行塑性變

    我國科學家在空間站完成銦硒半導體晶體生長實驗

    記者21日從中國科學院空間應用工程與技術中心獲悉,利用中國空間站高溫材料科學實驗柜,我國科研人員完成銦硒半導體晶體生長實驗,獲得完整晶體樣品。半導體材料在集成電路、電力電子、通信等領域發揮著不可替代的作用。銦硒半導體晶體是一種柔性半導體材料,不僅具有傳統半導體材料優異的物理性能,而且可像金屬一樣進行

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    第16屆全國晶體生長與材料學術會議在合肥召開

      10月21日至24日,第16屆全國晶體生長與材料學術會議在合肥召開。大會收到論文320篇,邀請報告26個,有18家晶體生長與材料企業前來參展,來自國內外晶體材料、光電材料、物質結構領域的院士、專家、學者、研發人員等共400多人參加了會議。   本屆會議由中國硅酸鹽學會晶體生長與材

    上海硅酸鹽所設計能檢測痕量生物染料分子的半導體材料

      3月15日,中國科學院上海硅酸鹽研究所研究員楊勇、黃政仁、劉建軍等完成的研究論文Niobium pentoxide: a promising surface-enhanced Raman scattering active semiconductor substrate 在研究所與自然出版集團合

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    ?晶體生長方面的應用晶體生長理論在發展過程中形成了很多模型,可是這些模型大多是理論分析的間接研究,它們和實際情況究竟有無出入,這是人們最為關心的。因而人們希望用顯微手段直接觀察到晶面生長的過程。用光學顯微鏡、相襯干涉顯微鏡、激光全息干涉術等對晶體晶面的生長進行直接觀測,也取得了一些成果。但是,由于這

    液相法氮化鎵晶體生長研究

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    “微下拉法纖維晶體生長設備研制”通過驗收

      5月27日,中國科學院新疆理化技術研究所承擔的中國科學院科研裝備研制項目“微下拉法纖維晶體生長設備研制”通過了中科院條件保障與財務局組織的專家驗收。  項目負責人楊志華介紹了項目情況和系統所達到的性能指標的測試大綱,專家組審議了測試大綱并進行了各項性能指標的現場測試。張紅松和姜言彬分別主持了項目

    納米粒子可在晶體生長中充當“人造原子”

      在晶體的生長過程中,納米粒子是否能夠充當“人造原子”,成為構建復雜分子結構的積木?這一理論一直存在爭議。美國能源部勞倫斯伯克利國家實驗室的一項研究或能解決上述爭論,并為未來的能量轉換和儲存設備發展指明方向。相關研究報告發表在近日出版的《科學》雜志上。   該實驗室材料

    硅酸鹽的分析方法

    原理微波是電磁波中位于遠紅外與無線電之間的一種電磁輻射,它的頻率范圍為300MHz~3×105MHz。微波加熱與傳統的加熱方式有所不同,微波加熱屬于一種內部加熱方式,其被加熱的樣品與酸混合物通過吸收微波能產生的即時深層加熱。與此同時,微波所產生的交變磁場會促使介質分子發生極化的現象,而極性分子又可以

    硅酸鹽的基本結構

    由于其結構上的特點,種類繁多(硅酸鹽礦物的基本結構是硅――氧四面體;在這種四面體內,硅原子占據中心,四個氧原子占據四角。這些四面體,依著四面體,依著不同的配合,形成了各類的硅酸鹽)。硅酸鹽結構眾多、種類繁多:有島狀的橄欖石、層狀的石英、環狀的蒙脫石等。它們大多數熔點高,化學性質穩定,是硅酸鹽工業的主

    速度提高4倍!華理團隊研發通用晶體生長技術

    近日,華東理工大學清潔能源材料與器件團隊自主研發了一種鈣鈦礦單晶薄膜通用生長技術,將晶體生長周期由7天縮短至1.5天,實現了30余種金屬鹵化物鈣鈦礦半導體的低溫、快速、可控制備,為新一代的高性能光電子器件提供了豐富的材料庫。相關研究成果發表于《自然—通訊》。?生長方法限制晶體應用金屬鹵化物鈣鈦礦是一

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      晶體生長習性對晶體的物理化學特性和藥物活性有重大影響,因此對化學工業及藥物生產研發具有重要意義。目前使用添加劑調控晶體生長習性已經取得了較好的發展,但多數研究對調控機理的解釋缺少理論計算支撐,僅有少數研究涉及NaCl、KCl等立方結構晶體習性調控的理論計算。  中國科學院福建物質結構研究所光電材

    新突破-我國科學家研發新型通用晶體生長技術

    記者日前從華東理工大學了解到,該校清潔能源材料與器件團隊自主研發了一種鈣鈦礦單晶晶片通用生長技術,將晶體生長周期由7天縮短至1.5天,實現了30余種金屬鹵化物鈣鈦礦半導體的低溫、快速、可控制備,為新一代高性能光電子器件提供了豐富材料庫。相關成果發表于國際學術期刊《自然·通訊》。金屬鹵化物鈣鈦礦是一類

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      近日,北京理工大學化學與化工學院教授孫建科與韓國基礎科學研究院合作,以《聚電解質溶液剪切流場促進晶體生長》為題,將其“剪切促進晶體生長”研究成果發表于《自然》雜志上。該研究提出了利用剪切驅動的封閉系統恒溫結晶方法,為簡單、高效合成高質量的單晶提供了新思路。在聚離子液體存在下,剪切應力促進均苯三甲

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