若美國禁令不變，臺積電9月14日起斷供華為
7月16日，在臺積電二季度業績說明會上，該公司透露，未計劃在9月14日之后為華為繼續供貨。而美國政府5月15日宣布的對華為限制新規將于9月15日生效。 截至發稿，華為方面尚未對此作出回應。 4天前（7月13日），臺媒鉅亨網曾報道，臺積電已向美國政府遞交意見書，希望能在華為禁令120天寬限期滿之后，可繼續為華為供貨。 在此之前，根據美國商務部5月15日公布的最新禁令，任何企業供貨含有美國技術的半導體產品給華為，必須先取得美國政府的出口許可。不過，該禁令公布后有120天的緩沖期。《日經新聞》報道截圖 美國新禁令公布后，日經新聞曾在5月28日報道，華為已經儲備長達兩年的美國“關鍵芯片”。 該報道稱，華為儲備工作主要集中在英特爾生產的用于服務器的CPU和賽靈思（Xilinx）的可編程芯片上，這些芯片是華為基站業務和新興云業務的“最重要組件”。 不過，華為方面對上述報道也未直接回應。 觀察者網查詢華為2017-2019年......閱讀全文
若美國禁令不變，臺積電9月14日起斷供華為
7月16日，在臺積電二季度業績說明會上，該公司透露，未計劃在9月14日之后為華為繼續供貨。而美國政府5月15日宣布的對華為限制新規將于9月15日生效。 截至發稿，華為方面尚未對此作出回應。 4天前（7月13日），臺媒鉅亨網曾報道，臺積電已向美國政府遞交意見書，希望能在華為禁令120天寬限期滿
陶氏發函斷供華為，國產高分子材料當自強
陶氏發函：受美國商務部裁定華為及其在全球68家非美國關聯公司列入“實體清單”的影響，陶氏及其關聯公司或子公司(包括陶熙在內)生產的所有受美國《出口管理條例》約束的產品，將不再向華為或其任何被列入清單的關聯公司出售。 原文如下： 有關人員證實了這份題目為“主題：關于美國商務部裁定的告客戶書”的
臺積電優勢不再！－全球首個2nm芯片制造技術發布
藍色巨人終于開始發力。 5月7日消息，IBM公司周四宣布，其在芯片制程工藝上取得重大突破，聲稱已打造出全球首個2nm芯片制造技術，為半導體研發再創新的里程碑。 IBM在新聞稿中稱，在運行速度方面，與當前許多筆記本電腦和手機中使用的主流7nm芯片相比，IBM的這顆2nm芯片計算速度要快45%，
臺積電早期－5nm－測試芯片良率－80％－HVM－（二）
通常情況下，芯片制造商會首先咋移動處理器上小試牛刀，以分攤新工藝的高昂成本嗎，比如基于 7nm EUV 的麒麟 990 5G SoC（面積接近 110 平方毫米）。盡管?AMD?Zen 2 芯片看起來很大，但并非所有組件都采用 EUV 工藝生產。不過展望未來，它也更適合遷移至 5nm EUV
臺積電早期－5nm－測試芯片良率－80％－HVM－（一）
在今天的 IEEE 國際電子器件大會（IEDM 2019）上，臺積電概述了其在 5nm 工藝上取得的初步成果。目前，該公司正在向客戶提供基于 N7 和 N7P 工藝的產品。但在向 5nm 進發的時候，兩者賈昂共享一些設計規則。據悉，與 7nm 衍生工藝相比，N5 新工藝將增加完整的節點，并在
臺積電TSMC公司LED照明研發中心完工
隨著旗下LED照明研發中心的即將完工，臺系半導體制造商臺積電TSMC已經將公司之后的發展目標鎖定在世界前五了。而目前世界排名前五的LED廠商分別是：飛利浦(Royal Philips Electronics)、歐司朗(Osram)、美國Cree、日亞化學(Nichia)及豐田合成( Toyo
臺積電STTMRAM技術細節（二）
圖6．Rap和Rp的電阻分布間距在計入寄生電阻時變小為了感測MTJ的電阻，必須在讀取期間將其兩端的電壓通過晶體管N1和N2鉗位到一個低值，以避免讀取干擾，并對其進行微調以消除感測放大器和參考電流偏移。參考電阻是1T4R配置R？（R p ＋ R ap）／ 2 ＋ R1T，如圖7所示。圖7．具有微調能力
臺積電STTMRAM技術細節（三）
MRAM寫入操作低阻態Rp和高阻態Rap的MRAM寫入操作需要如圖9所示的雙向寫入操作。要將Rap狀態寫到Rp需要將BL偏置到VPP，WL到VREG＿W0，SL到0以寫入0狀態。要寫入1狀態，將Rap變成Rp需要反方向的電流，其中BL為0，SL為VPP，WL為VREG＿W1。圖9．平行低電阻狀態Rp
臺積電STTMRAM技術細節（一）
在ISSCC 2020上臺積電呈現了其基于ULL 22nm CMOS工藝的32Mb嵌入式STT－MRAM。該MRAM具有10ns的讀取速度，1M個循環的寫入耐久性，在150度下10年以上的數據保持能力和高抗磁場干擾能力。ULL 22nm STT－MRAM的動機與閃存相比，TSMC的嵌入式STT－MR
臺積電STTMRAM技術細節（四）
圖15． 在－40度時，1M循環后寫入誤碼率小于1 ppm。圖16． 熱穩定性勢壘Eb控制著數據保持能力的溫度敏感度，在150℃（1ppm）下數據保留超過10年。在基于自旋的STT－MRAM的許多應用中，磁場干擾是一個潛在的問題。該解決方案是在封裝上沉積0．3mm厚的磁屏蔽層，如圖16所示，實驗表明
臺積電在日本建立海外最大設計中心
12月1日，據日經中文網報道，臺積電今天正式在大阪市開設支援半導體設計的“設計中心”，這是繼神奈川縣橫濱市之后的日本國內第二處設計中心，預計將成為該公司海外最大的一個設計中心。臺積電事實上，臺積電2020年就在日本橫濱市開設了設計中心基地，而且還在廣招人才。據悉，包括2023年4月入職的人員在內，該
中美博弈再度升級！美國全面封鎖華為芯片采購
美國當地時間5月15日，美國商務部發布兩則針對華為的消息：其一，延長華為臨時許可90天。其二，計劃升級對華為的管制措施，國外公司只要用美國技術、軟件、設備等給華為生產芯片也將受到管制，需先得到美國批準。 就在此次美國推出限制升級之前，5月15日，臺積電在官網正式宣布，在美國聯邦政府及美國亞利桑
中美博弈再度升級！美國全面封鎖華為芯片采購
美國當地時間5月15日，美國商務部發布兩則針對華為的消息：其一，延長華為臨時許可90天。其二，計劃升級對華為的管制措施，國外公司只要用美國技術、軟件、設備等給華為生產芯片也將受到管制，需先得到美國批準。 就在此次美國推出限制升級之前，5月15日，臺積電在官網正式宣布，在美國聯邦政府及美國亞利桑
臺積電擴廠典禮引發民眾焦慮，美國高興壞了
12月26日消息，近期臺積電宣布擴大美國投資，外派工程師赴美支援，引發“去臺化”疑慮。據中國臺灣媒體報道，臺積電將于12月29日舉行3nm量產暨擴廠典禮，罕見以實際行動宣示持續深耕臺灣的決心，化解外界疑慮。 根據臺積電發出活動通知顯示，預計將于12月29日在臺南科學園區的晶圓18廠新建工程基地
臺積電建廠美國，納米級芯片緣盡中國？
臺積電位于美國亞利桑那州的新工廠已經基本完成建設，并且即將擴建二期，將會有更大的廠房面積，這也意味著臺積電已經將4nm和5nm的生產線正式帶到美國，而蘋果方面也有動作，CEO庫克在公開場合表態，將會從臺積電亞利桑那工廠直采芯片，今后多個大廠將會從美國直采4nm和5nm芯片！臺積電亞利桑那工廠一期將于
臺積電5nm－SRAM技術細節解析（四）
在寫操作中，LCV使能信號（LCVEN）變為高電平，它關閉下拉NMOS（N1），以將電荷共享電容器C1與地斷開。COL ［n：0］選擇一列以關閉P0，并將陣列虛擬電源軌CVDD ［0］與真實電源VDDAI斷開。由于金屬線電容隨存儲單元陣列的縮小而縮小，因此它也有利于SRAM編譯器設計，并在變
臺積電5nm－SRAM技術細節解析（三）
圖8顯示了具有不同位線配置的NBL耦合電平，表明可配置金屬電容器C1可以隨位線長度調節，從而可以減輕具有不同位線長度的耦合NBL電平的變化。圖8．具有不同位線配置的NBL耦合電平。寫入輔助的第二種方法是降低單元VDD（LCV）。LCV的常規技術需要強偏置或有源分壓器才能在寫操作期間調整列式存儲單元的
臺積電5nm－SRAM技術細節解析（五）
高遷移率通道通過約18％的驅動電流增益提高了5nm工藝的性能，如圖12所示。該技術已在IEDM 2019上進行了詳細描述。圖12．高遷移率溝道（HMC）性能提升約18％。這種性能提升的例子是用于L1高速緩存應用的高速SRAM陣列在0．85V電壓下達到了4．1GHz，如圖13 的shmoo圖所示。圖1
臺積電5nm－SRAM技術細節解析（一）
長期以來，技術領先一直是臺積電成功的關鍵。臺積電5nm工藝擁有世界上最小的SRAM單元（0．021平方微米），除開創性的器件工藝，例如高遷移率溝道（HMC），極紫外（EUV）圖形化的應用外（可在此高級節點上實現更高的良率和更短的生產周期），他們還持續精進其寫入輔助（write assist）電路
臺積電5nm－SRAM技術細節解析（二）
為了降低功耗，一種關鍵方法是降低SRAM陣列的最小工作電壓Vmin。5nm工藝中增加的隨機閾值電壓變化限制了Vmin，進而限制了功耗的降低。SRAM電壓減小趨勢如圖4所示，其中藍線表示沒有寫輔助的Vmin，紅線表示有寫輔助的Vmin，顯示了每一代寫輔助的巨大好處。可以看出，從7nm到5nm的Vmin
半導體行業再動蕩：臺積電被控16項ZL侵權
半導體代工廠格芯（GlobalFoundries，GF）8 月 26 日在美國和德國提出多起訴訟，指控臺積電（TSMC）使用的半導體技術侵犯了 16 項 GF 的ZL，并希望美國貿易主管部門發布進口禁令，以停止臺積電“侵權”生產的產品進口，并尋求獲得“實質性”損害賠償。臺積電否認侵權，并稱將積極
美芯片禁令再升級，中國半導體業將何去何從？
美國最新的芯片禁令自10月12日生效后，中國半導體業再遭重創。中企若被完全斷供14納米以下的高端芯片，可能沖擊到中國在人工智能(AI)和新能源車等產業的領先優勢。尤其受限于新規，部分美籍高管傳出已撤離中企晶圓廠，更直接命中中國半導體業的要害。市場觀察人士說，美國禁令升級對中國的短期沖擊非常大，“美國
美國新禁令即將生效前，華為已順利完成蛻變并取得勝利
今年5月份，美國商務部工業與安全局(BIS)宣布，嚴格限制華為使用美國的技術、軟件設計和制造半導體芯片，此舉將使得華為進一步被美國出口管控政策所限制。華為中國對此回應，除了勝利，我們已經無路可走。而9月15日，是美國對華為新禁令正式生效的日子。9月15日及以后，包括臺積電、高通、三星及SK海力士
帶上寵物、孩子包機赴美－臺積電將在美設3納米晶圓廠？
臺積電創辦人張忠謀21日早些時候透露，臺積電將在美國亞利桑那州設立3納米先進制程的晶圓廠。消息引發外界關注。臺積電當晚對此低調回應稱，目前尚無進一步消息。對于臺積電可能進一步出走美國，中國國民黨前民代蔡正元痛批，民進黨當局樂于把臺積電變成“美積電”。 據環球網報道報道，其實先前已有外媒報道稱臺
美國正式升級對華為限制措施－中方反擊，蘋果遭殃
在全球共克時艱的疫情期間，美國特朗普政府卻試圖用各種手段攻擊中國。今年3月美國就叫囂試圖切斷華為的芯片供應鏈，并重點提及臺積電。路透社15日最新消息，當前美國商務部不惜犧牲美企利益也要推進這一進程，意圖對華為“卡脖子”。美國工業和安全局（BIS）15日宣布了計劃，通過限制華為使用美國技術和軟件在
目前我國光刻機的加工精度是多少？
我們日常使用的手機里面的芯片就是光刻機制造出來的，光刻機是芯片制造過程當中一個重要的環節，光刻機直接決定著芯片的質量。而我國作為全球最大的芯片消費國之一，光每年進口的芯片都高達幾萬億人民幣。??光刻機是芯片制造過程中最重要的一部分，就是我們把想要設計的芯片，用光學技術刻在晶圓上，用光學技術把各種各樣
英特爾CEO證實將把兩款處理器最關鍵CPU芯片塊首度交給臺積電生產
英特爾CEO帕特·基辛格證實，英特爾將把兩款處理器最關鍵的CPU芯片塊首度交給臺積電生產。據悉，相關訂單將采用臺積電3納米生產，為雙方未來在2納米制程的合作埋下伏筆。
臺積電都得排隊搶購，什么企業訂單一直到2023年？
由于半導體芯片產能緊缺，作為全球第一大晶圓代工廠的臺積電此前宣布三年內投資1000億美元，約合6300多億人民幣，主要用于建設新一代的3nm、2nm芯片廠，蓋長的需求太高，現在連建筑用的磚塊都要搶購了。據《財訊》報道，這兩年芯片產能緊缺，但是比芯片產能更缺的還有一種建材——白磚，連臺積電都得排隊搶購
臺積電2024年4月起將在日本興建第二座工廠
IT之家 7 月 11 日消息，臺積電已在日本熊本設廠，預計 2024 年量產。董事長劉德音則表示，目前正評估設第二座廠，建廠地點還會在熊本，仍以成熟制程為主 日刊工業新聞稱，臺積電計劃明年 4 月起在日本熊本縣興建第二家工廠，并希望在 2026 年底前投產。 據介紹，第二工廠將主要生產 1
歐洲能源危機美國獲暴利！歐洲深陷斷供焦慮
為了給即將到來的冬季做準備，歐洲多國正競相填滿儲氣庫。據德國能源新聞網站IWR 8月30日報道，截至8月28日歐盟成員國天然氣儲存水平為79.94%，已接近到11月1日達到80%的目標。在俄羅斯液化天然氣（LNG）供應大減之際，歐洲不計成本般地從美國增購天然氣，為美國天然氣供應商帶來前所未有的利潤，