微電子所憶阻器基感知計算研究獲進展
生物體中，感受神經系統是本體與外界環境交互的基本信息感知系統。生物體對生存環境的信息甄別與過濾，主要基于感受神經系統的習慣化功能。當前，人類社會正由信息化向智能化演進。智能化社會需要高效智能的信息感知系統對感知到的巨量信息進行有效甄別、處理和決策，并對重復無意義的信息進行有效過濾。因此，基于生物感受神經系統的功能特性構建具備生物現實性的高效智能信息感知系統將成為一個重要發展趨勢。 近日，中國科學院院士、中科院微電子研究所微電子重點實驗室研究員劉明團隊，提出基于憶阻器構建具備習慣化特性的人工感受神經系統的實現方案，并利用習慣化這一生物學習規則構建出可應用于機器人自主巡航避障的習慣化脈沖神經網絡。 研究團隊基于Mott憶阻器和傳感器構建感受神經元，該神經元能夠感知外界的模擬信號并轉化成實時的動態脈沖信號，實現對外界信號進行感知并傳輸的基本功能。感受神經元進一步通過突觸器件與中繼神經元相連接構建習慣化感知系統。該突觸器件具有連......閱讀全文
高性能接口型憶阻器問世
美國洛斯阿拉莫斯國家實驗室的科學家試圖復制人腦無與倫比的計算能力，他們制造出了一種新的接口型憶阻設備。研究結果表明，該設備具有良好的可編程性和可靠性，可用作下一代神經形態計算的人造突觸。相關論文發表于最新一期《先進智能系統》雜志。? 研究示意圖圖片來源：物理學家組織網研究團隊指出，與馮·諾依曼架構的
離子選擇性憶阻器研究獲進展
憶阻器是具有記憶功能的非線性電阻器。憶阻器作為仿神經器件，在類腦計算和腦機接口等領域頗有潛力。近年來，中國科學院化學研究所于萍課題組致力于流體憶阻器研究，在器件構筑、傳輸原理與應用方面展開了系統研究。前期，該團隊設計并構筑了聚電解質限域流體體系，發現了該體系中的憶阻行為，實現了突觸可塑性的化學調控行
離子選擇性憶阻器研究獲進展
憶阻器是具有記憶功能的非線性電阻器。憶阻器作為仿神經器件，在類腦計算和腦機接口等領域頗有潛力。近年來，中國科學院化學研究所于萍課題組致力于流體憶阻器研究，在器件構筑、傳輸原理與應用方面展開了系統研究。前期，該團隊設計并構筑了聚電解質限域流體體系，發現了該體系中的憶阻行為，實現了突觸可塑性的化學調
全新憶阻器超越現有機器學習系統
在當今“大數據”時代，現有計算機硬件架構已面臨速度和高能耗的瓶頸。科技日報記者日前采訪美國密西根大學電子工程與計算機系盧偉教授獲悉，他帶領同事研發出一種全新憶阻器（Memristor）陣列芯片，其處理圖片和視頻等復雜數據的速度和能效，超越了現有最先進機器學習系統。相關論文發表在最近一期《自然·納
科學家研制具有學習能力憶阻器
一個能學習的納米元件：比勒菲爾德大學研制的憶阻器被內置于比人頭發薄600倍的芯片中 北京時間3月5日消息，據國外媒體報道，長久以來，科學家一直夢想著造出像大腦一樣的電腦。大腦比電腦更加節能，而且還會自主學習，不需要任何編程。來自比勒菲爾德大學物理學系的高級講師安迪·托馬斯博士正在做這方面
新型有機憶阻器顯著提高神經形態計算效率
華東理工大學化學與分子工程學院教授陳彧團隊聯合上海市智能感知與檢測技術重點實驗室，開發了一種新型共價有機框架（COF），顯著降低了有機憶阻器的運行功耗，并提高了神經形態計算效率。相關研究在線發表于《德國應用化學》。為減少陣列中的器件數量、縮短數據寫入時間、提高運行速度和效率，科學家正在努力將有機憶阻
新型有機憶阻器顯著提高神經形態計算效率
華東理工大學化學與分子工程學院教授陳彧團隊聯合上海市智能感知與檢測技術重點實驗室，開發了一種新型共價有機框架（COF），顯著降低了有機憶阻器的運行功耗，并提高了神經形態計算效率。相關研究在線發表于《德國應用化學》。為減少陣列中的器件數量、縮短數據寫入時間、提高運行速度和效率，科學家正在努力將有機憶阻
新研究厘清憶阻器工作時的內部變化
據美國計算機世界網站5月16日報道，惠普公司的科學家在憶阻器的研發上取得新突破，他們弄清楚了憶阻器在電操作期間，其內部的化學性質和結構變化，借此可以改進現有憶阻器的性能。相關研究發表在16日出版的《納米技術》雜志上。 憶阻器是一種有天然記憶功能的非線性電阻，通過控制電流的變
能存儲并處理數據的蜂蜜憶阻器問世
美國華盛頓州立大學工程師在《物理學雜志D》上發表論文稱，他們利用蜂蜜研制出了一款憶阻器。這是一種類似于晶體管的組件，不僅可處理數據，還可存儲數據。未來，他們或許能將數以百萬計或數十億計的蜂蜜憶阻器整合在一起，創建出一款功能與人腦非常相似的神經形態計算機系統。 研究人員解釋說，傳統計算機系統基于馮
類腦憶阻器基人工智能應用獲進展
隨著人工智能的發展，憶阻器因其“存算一體”的特性被越來越多的研究者探索，鐵電憶阻器因其優異的極化可控、多值存儲和在神經計算領域的應用潛力而受到人們的特別關注。其中，由于鐵電材料的技術需求和無鉛無毒的環境要求，鈦酸鋇（BaTiO3)成為了鐵電鈣鈦礦氧化物鉛基材料的最佳替代品之一。然而，目前大多數鐵電材
美科學家開發出寬度5納米憶阻器
上世紀60年代，英特爾公司創始人之一戈登·摩爾提出了著名的摩爾定律：集成電路上可容納的晶體管數目，約每隔18個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。然而，芯片的進一步小型化遇到越來越多的技術局限。在傳統硅芯片技術上所能取得的進步受到物理法則和資金的限制也越來越嚴重，有人以為看到了集成電
物理所憶阻器的可調電致發光取得進展
憶阻器(Memristor)是電路里繼電阻、電容和電感之外的第四種基本元器件。由于其在非易失性存儲、人工神經網絡、混沌電路、邏輯運算及信號處理等領域的應用潛力，成為2008年后電子學器件領域內的一個重要研究對象。電致發光(Electroluminescence)通常指半導體材料中電流或電場誘導的
微電子所憶阻器基感知計算研究獲進展
生物體中，感受神經系統是本體與外界環境交互的基本信息感知系統。生物體對生存環境的信息甄別與過濾，主要基于感受神經系統的習慣化功能。當前，人類社會正由信息化向智能化演進。智能化社會需要高效智能的信息感知系統對感知到的巨量信息進行有效甄別、處理和決策，并對重復無意義的信息進行有效過濾。因此，基于生物
具有實時跟蹤功能的憶阻視覺傳感器架構（四）
因此，當Vmax試圖快速觸達VS過程中，Vmin也在做同樣的事情，只不過速度較慢。這里，灰色區域快速變大。在若干個幀后，兩個閾壓限制VS，吸收全部信號變化，這樣不會再產生任何熱像素。從此，灰色區域恢復窄狀和最大像素敏感度。 圖6：利用內部三個憶阻器執行動態背景提取的像素示意圖 IV.
具有實時跟蹤功能的憶阻視覺傳感器架構（五）
A. 曝光時間 在曝光時間(Ti)內, L2F轉換器生成一串振幅I1、脈寬△T且頻率與光強成正比的電流脈沖，送入MS，如圖7所示。下面的等式通過狀態變量w(t)描述了MS的狀態： 其中，RON是低電阻，D是憶阻器長度，uv是 摻雜遷移率，n是L2F在曝光時間內生成的脈沖數量，在施加n個脈沖后，
具有實時跟蹤功能的憶阻視覺傳感器架構（六）
A. 直接從熱像素狀態轉到冷像素狀態 像素狀態S2和S3通常直接轉到正常像素條件。從圖10b不難看出，在S2狀態中，Mmax和Mmin嘗試以不同的時間常量接近Ms，在這個過程中，Mmax升高速度比快Mmin很多，直到像素恢復到正常工作條件為止。如圖10c所示，當像素在S3狀態時出現反轉
憶阻器模擬神經細胞讓計算機更像人
最近，美國加州大學圣巴巴拉分校研究人員演示了一種包含100個人工突觸的簡單人工神經元線路，第一次證明了這種線路能執行簡單的人類視覺功能——給圖像分類，這標志著人工智能的一項重大進步。 人腦比電腦具優勢 盡管人腦有著潛在缺陷，計算中會犯各種錯誤，但卻保持著一種強大而有效的計算模式，它能在不到1
清華團隊研發全新憶阻器存算一體芯片
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/10/509995.shtm近日，清華大學集成電路學院教授吳華強、副教授高濱課題組基于存算一體計算范式，創造性提出適配憶阻器存算一體實現高效片上學習的新型通用算法和架構（STELLAR），有效實現大規模模擬型憶
具有實時跟蹤功能的憶阻視覺傳感器架構（二）
利用參考文獻取得與上面等式相關的參數，使用Verilog-A語言開發一個憶阻器行為模型，通過電路仿真，使用下列參數驗證該模型：RON = 200Ω, ROFF =200KΩ, u2= 10-10cm2S-1V-1, D = 10nm。只要系統在M??(RON , ROFF )邊界
具有實時跟蹤功能的憶阻視覺傳感器架構（三）
III. 工作原理 在討論傳感器架構之前，需要描述一下像素級自適應背景提取算法。我們考慮成像傳感器的一個像素給一個特定場景點編碼的情況。該像素以幀速率fps采集光強，并將其轉換成電壓VS(nT)，其中T = 1/fps是像素傳感器采樣時間，整數n 表示幀個數。在傳感器工作過程中
具有實時跟蹤功能的憶阻視覺傳感器架構（一）
本文介紹一個依靠憶阻器執行像素級自適應背景提取算法的成像傳感器架構。內置光頻轉換器(L2F)的像素是圖像處理的核心組件，其輸出的與光強成正比的數字脈沖被施加到憶阻器后，憶阻器電阻將會發生相應變化。另外兩個憶阻器用于保存動態邊界，邊界外的光生信號行為被認為是異常，即意外快速變化。與全CMO
新憶阻器可在電阻開關自整流效應和電容相互切換
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/3/519871.shtm探索基于硬件的加密方法是增強數據安全性的途徑之一，憶阻器具有強大的邏輯計算能力、更高的集成密度和極低的功耗，被認為是最有前途的下一代電子器件之一。西安交通大學前沿科學技術研究院邵金友教
《納米快報》：美科學家開發出寬度5納米憶阻器
上世紀60年代，英特爾公司創始人之一戈登·摩爾提出了著名的摩爾定律：集成電路上可容納的晶體管數目，約每隔18個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。然而，芯片的進一步小型化遇到越來越多的技術局限。在傳統硅芯片技術上所能取得的進步受到物理法則和資金的限制也越來越嚴重，有人以為看到了集成電路技
首款多陣列憶阻器“存算一體”系統問世
隨著摩爾定律趨近極限，通過集成電路工藝微縮的方式獲得算力提升越來越難；而計算與存儲在不同電路單元中完成，會造成大量數據搬運功耗增加和額外延遲。如何提高算力，突破技術瓶頸？26日，記者從清華大學獲悉，該校微電子所、未來芯片技術高精尖創新中心錢鶴、吳華強教授團隊，與合作者共同研發出一款基于多個憶阻器
科學家研制光控憶阻器，實現多策略藥物精準釋放
近日，西安交通大學前沿院教授邵金友、孫柏團隊借助原位表征技術和第一性原理計算，創新的提出了一種特異性抑制溴空位形成的動力學模型。該工作為調控鈣鈦礦成核提供了可參考的封閉工藝和理論支持，也展示了光電憶阻器在全光控鞘內藥物注射系統中的應用前景。該研究成果發表在《先進材料》。 無機非鉛鈣鈦礦因其優異
多孔有機聚合物膜應用于憶阻器研究中取得進展
多孔有機聚合物薄膜具有本征多孔性和可調節的孔隙環境，適合于電子器件的應用。然而，由于缺乏魯棒性、可加工性和制備的可控性，基于多孔有機聚合物薄膜的電子器件的構建仍存在挑戰。咔唑是一種具有較低氧化電位的高電活性單元，可通過電化學策略制備多孔有機聚合物薄膜，這為制備基于多孔有機聚合物薄膜的電子器件提供
陳彧教授團隊等制備出高分子納米神經形態憶阻器
近日，華東理工大學化學與分子工程學院陳彧教授團隊與上海交通大學劉鋼研究員、合肥工業大學張章教授合作，利用二維有機共軛策略提高高分子的共平面性、結晶度和阻變穩定性，通過微納加工技術制備了良率高達90%的低功耗納米神經形態器件。這種器件具有與金屬氧化物憶阻器可比擬的應用潛力，為發展小型化、高密度與低
華理學者在二維有機薄膜憶阻器領域取得系列進展
近日，華東理工大學教授軒福貞團隊在二維有機薄膜憶阻器神經形態計算領域取得重要進展，相關研究成果先后發表于《信息材料（英文）》和《細胞報告物理科學》。在一項研究中，研究團隊開發了一種苯并噻吩修飾的共價有機框架材料，通過中等供電子基團（苯并三噻吩）和氧化還原活性基團（甲基三核銅）的有序限域分布，顯著提升
清華團隊發布全球首顆憶阻器芯片，突破了哪些“卡脖子”難題？
人工智能技術的發展浪潮極大地改變了人類的生產生活方式，對當前人類文明的各個領域產生了深刻的影響，并且還將持續深入地影響下去。 但人工智能技術依靠大算力的支撐，隨著技術的爆炸式發展，它對大算力的需求也節節高升。然而，現有的算力短缺與龐大的算力需求之間形成了越來越突出的矛盾。芯片作為算力的物質載體
晶體管繼任者走來－憶阻器或成計算機新寵
美國哥倫比亞廣播公司的《疑犯追蹤》塑造了一個人物，他設計出一種能預測恐怖襲擊的機器。 圖片來源：哥倫比亞廣播公司 普通晶體管的替代者或許能在這個10年后進入市場，這預示著傳統計算機功能結構將出現徹底性的重新設計。憶阻器——過去6年間大量研究的主題——將成為一系列新設備的基本構件，這些設備從“